90纳米制程

90纳米制程是半导体制造制程的一个水平，大约于2004年至2005年左右达成。[1][2] 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔、AMD、英飞凌、德州仪器、IBM和台积电所完成。

许多厂商使用了193纳米的波长来进行关键层级的光刻。

此外，12英寸晶圆在这个制程上成为主流。

具有90纳米制程的产品

先前 130纳米制程	半导体器件制造制程	其后 65纳米制程

This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.

半导体器件制造

金属氧化物半导体场效应管
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未来 002 nm ~ 2024
晶体管数量互补式金属氧化物半导体半导体器件（多闸极晶体管）摩尔定律晶体管数量半导体半导体产业纳电子学