赤崎勇

赤崎勇日语: Akasaki Isamu ?1929年1月30日—2021年4月1日),日本化学工程学家,名古屋大学工学博士。曾任松下电器研究员、名城大学终身教授、名古屋大学特别教授及名誉教授。美国国家工程院外籍院士。IEEE Fellow。紫绶褒章文化勲章勋三等旭日中绶章表彰。文化功劳者

赤崎勇2014年诺贝尔物理学奖得主
出生(1929-01-30)1929年1月30日
 大日本帝国鹿儿岛县川边郡知览村(现南九州市
逝世2021年4月1日(2021岁—04—01)(92岁)
 日本爱知县名古屋市
国籍 日本
母校京都大学
名古屋大学
知名于开发氮化镓结晶化技术,完成世界第一个高亮度的蓝色发光二极管
配偶赤崎陵子
奖项C&C奖(1998)
(1998)
朝日奖(2000)
文化功劳者(2004)
京都奖(2009)
IEEE爱迪生奖章(2011)
文化勋章(2011)
日本学士院奖恩赐奖(2014)
诺贝尔物理学奖(2014)
查尔斯·斯塔克·德雷珀奖(2015)
科学生涯
研究领域物理学、工程学
机构松下电器
名城大学
名古屋大学
博士生天野浩
备注
亲属:
赤崎正则(兄)
日语写法
日语原文
假名
平文式罗马字

赤崎教授于2014年凭借「发明高亮度蓝色发光二极管,带来了节能明亮的白色光源」与天野浩中村修二共同获得诺贝尔物理学奖[1],他也是继罗伯特·密立根之后,史上第2位兼有诺贝尔奖IEEE爱迪生奖章荣誉的科学家。

早年生活与教育

1929年1月30日,赤崎勇出生于日本鹿儿岛县,幼时曾有躲避美军战机的经历,终身反战。1952年京都大学理学部毕业,1964年获得工学博士(名古屋大学)学位。其后曾服务于神户工业(现电装天)、名古屋大学、松下电器等单位。

研究

在1960年代末,他开始工作于氮化镓(GaN)基蓝光LED。一步一步,他改进的GaN晶体质量和器件结构[2],在松下研究所东京公司()那里,他决定采用有机金属化学气相沉积法作为首选的GaN生长方法。

1986年,赤崎勇以低温沉积(AlN)氮化铝缓冲层技术成功生产高品质的GaN晶体。1989年,他与门生天野浩完成p型GaN的结晶化,首次观测到p型材料的剧烈发光,并以GaN的pn构成完成了蓝色发光二极管。同一时期,赤崎的学生也包括日后的中国知名企业家唐骏[3]

1990年,赤崎师徒完成室温下紫外线暴露GaN的诱导放射。基于上述的各阶段突破,1992年,他们发明了人类史上第一个高亮度蓝色发光二极管。1995年,进一步完成注入量子多重化电流的GaN/GalnN诱导放射。自此开始,赤崎勇就一直是热门的诺贝尔奖候选人之一[4][5]。在2009年至2014年的名古屋大学官方简介中,赤崎一直与另外4位名大的诺贝尔奖得主(野依、小林、益川、下村)并列。

名古屋大学赤崎纪念研究馆

赤﨑记念研究馆

赤崎教授的发明产生了专利,专利被奖励特许权使用费,其中一部份用于创建2006年10月20日开设的「名古屋大学赤崎纪念研究馆」()[6] 。研究馆建有一个展示蓝光LED研究/开发和应用的历史的LED画廊,一个科研合作办公室,一个创新研究实验室,和赤崎教授的顶部六楼的办公室。该研究馆坐落在名古屋大学东山校区合作研究区域的中心。

2014年诺贝尔奖

赤崎勇与天野浩中村修二于2014年10月7日获得诺贝尔物理学奖。翌日赤崎与江崎玲于奈(1973年诺贝尔物理学奖得主)进行电话会谈,他们讨论了彼此发明的社会影响力,也提到「日本人特有的毅力」是成功的重要原因[7]

赤崎是首位九州出身的日本人诺贝尔奖得主[8],亦缔造若干国内纪录,包括首次师徒同时获奖(与天野浩);获奖年龄第二高(85岁,仅次于南部阳一郎的87岁);最高龄出席颁奖典礼。

根据诺贝尔奖委员会,有关3人贡献的主要区别是:[9]

  • 赤崎:以低温沉积氮化铝(AIN)缓冲制成高品质GaN
  • 天野:实现pn结GaN
  • 中村:对实用级高性能蓝色LED的一系列成就、贡献(基于InGaN,但官方文档未载)

获奖纪录

  • 1989年 日本结晶成长学会论文赏
  • 1991年 中日文化奖[10]
  • 1994年 光电子学会议特别奖
  • 1994年 日本结晶成长学会创立20周年记念技术贡献奖
  • 1995年 化合物半导体国际研讨会奖
  • 1995年
  • 1996年
  • 1998年 井上春成奖
  • 1998年 C&C奖
  • 1998年
  • 1998年 应用物理学会会志奖
  • 1998年
  • 1998年
  • 1999年
  • 2000年 朝日奖[11]
  • 2000年 东丽科学技术奖
  • 2002年 应用物理学会业绩奖
  • 2002年 武田奖
  • 2002年 藤原奖
  • 2003年 日本学术会议会长赏
  • 2003年
  • 2009年 京都奖(尖端技术部门)
  • 2011年 IEEE爱迪生奖章[12]
  • 2011年 科学技术振兴机构知识财产特别贡献奖
  • 2014年 日本学士院奖恩赐奖
  • 2014年 诺贝尔物理学奖[13]
  • 2014年 南九州市荣誉市民
  • 2015年 查尔斯·斯塔克·德雷珀奖
  • 2016年 UNESCO奖章
  • 2021年 Queen Elizabeth Prize for Engineering

荣衔

著作

  • (1985年9月、朝仓书店
  • (1994年5月、培风馆
  • (1997年4月、工业调查会
  • (1999年12月、培风馆)

有关纪念

2018年4月,名古屋广小路商店街设置3座手形像,以纪念下村修、赤崎勇、天野浩3人的功绩。[14]

参见

参考数据

  1. (PDF). Nobel Prize. 2014-10-07 [2014-10-07]. (原始内容存档 (PDF)于2014-10-07).
  2. Y. Ohki, Y. Toyoda, H. Kobayasi and I. Akasaki: “Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 63, pp. 479-484 (Proc. of the 9th Intl. Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds, 1981).
  3. . [2014-12-08]. (原始内容存档于2020-02-19).
  4. ino/news/20141006/sot14100605010001-n1.html 6日からノーベル赏ウイーク!文学赏は村上氏1番人気 - 芸能社会 - SANSPO.COM(サンスポ)]
  5. (PDF). [2012-04-13]. (原始内容 (PDF)存档于2012-10-17).
  6. . [2015-04-23]. (原始内容存档于2021-01-07).
  7. . [2015-09-06]. (原始内容存档于2015-09-06).
  8. . 中日新闻. [2009-10-26]. (原始内容存档于2010-03-12).
  9. . 朝日新闻. [2009-11-04]. (原始内容存档于2012-07-20).
  10. 赤﨑勇教授に日本人2人目のエジソン赏 页面存档备份,存于名城大学プレスリリース
    赤崎勇氏にエジソン赏=日本2人目、青色LEDで贡献 页面存档备份,存于时事通信
  11. . [2014-10-07]. (原始内容存档于2017-10-19).
  12. . [2018-05-02]. (原始内容存档于2018-05-02).

外部链接

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