雪崩二極管
雪崩二極管(avalanche diode)是設計在特定反向電壓下,會突崩潰的二極管,其材料會用矽或是其他半导体材料。雪崩二極管的接合面會經特別設計,避免電流集中及所產生高溫熱點,因此在崩潰時不會破壞二極管。突崩潰是因為少數載子加速到足以使晶格電離的程度,因此產生更多的載子,也造成更進一步的電離。因為突崩潰是在接面上均勻發生的,相較於非雪崩的二極管,雪崩二極管的崩潰電壓不會隨電流而變化,大致呈一定值[1]。
雪崩二極管 | |
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类型 | 被動 |
工作原理 | 突崩潰 |
稽納二極體除了齊納崩潰外,也會有類似的效應。任何一個二極體都會有這二種效應,但一般會有一個效應明顯較強。雪崩二極管針對突崩潰進行最佳化,因此在崩潰條件下會有很小,但明顯的電壓差。而稽納二極體會維持在高過崩潰電壓的一個電壓下。此特性比較類似氣體放電管,比稽納二極體的保護效果要好。雪崩二極管的電壓有小的正溫度係數,而稽納二極體則是負溫度係數[2]。
相關條目
- 雪崩電晶體
- 瞬态电压抑制二极管
參考資料
- L. W. Turner, (ed.), Electronics Engineer's Reference Book, 4th Edition, Newnes, 1976 pages 8-9 to 8-10
- Jacob Millman Microelectronics, McGraw-Hill, 1979 ISBN 0-07-042327-X, pp. 45-47
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