磷化铟

磷化铟（Indium phosphide，InP）是由磷和铟组成的二元半导体材料，磷化铟和砷化镓及大部份的三五族半导体相同，都是面心立方（闪锌矿）晶体结构。

磷化铟
别名 Indium(III) phosphide
识别
CAS号 22398-80-7  checkY
PubChem 31170
ChemSpider 28914
SMILES
 
  • [In]#P
InChI
 
  • 1/In.P/rInP/c1-2
InChIKey GPXJNWSHGFTCBW-HIYQQWJCAF
性质
化学式 InP
145.792 g·mol⁻¹
外观 黑色立方晶体
密度 4.81 g/cm3（固体时）
熔点 1062 °C（1335 K）
溶解性 微溶于酸[1]
能隙 1.344(300 K，直接带隙) eV
电子迁移率 5400 cm2/(V·s) (300 K)
热导率 0.68 W/(cm·K) (300 K)
折光度n
D		 3.1 (红外线);
3.55 (632.8 nm)[2]
结构
晶体结构 闪锌矿结构
晶格常数 a = 5.8687 Å [3]
配位几何 四面体
热力学
ΔfHm⦵298K -88.7 kJ/mol
S⦵298K 59.8 J/(mol·K)
热容 45.4 J/(mol·K)[4]
危险性
MSDS External MSDS
欧盟编号 未列出
主要危害 有毒，会水解为磷化氢
相关物质
其他阴离子 氮化铟
砷化铟
锑化铟
其他阳离子 磷化铝
磷化镓
相关化学品 磷化铟镓
磷化铝镓铟
砷锑磷化镓铟
若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。

制备

磷化铟可由白磷及碘化铟在400 °C下反应来制备[5]。

用途

磷化铟因为电子速率较常见的硅半导体及砷化镓都要高，可用在高功率高频的电子电路中。磷化铟因为有直接带隙，适合作像雷射二极管等光电工程组件。磷化铟也用在铟镓砷为基础的光电组件中的磊晶基板。

化学

在面心立方（闪锌矿）晶体结构的化合物中，磷化铟有最长寿命的光学声子[6]。

参考数据
  1. Template:Citation book
  2. Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu, , Journal of Materials Science Letters, 1993, 12 (10): 721, doi:10.1007/BF00626698.
  3. . [2015-09-12]. （原始内容存档于2015-09-24）.
  4. Template:Citation book
  5. . [2020-09-15]. （原始内容存档于2016-01-06）.
  6. Bouarissa, Nadir. . Physica B: Condensed Matter. July 2011, 406 (13): 2583–2587 [22 March 2013]. doi:10.1016/j.physb.2011.03.073.

外部链接
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